当社の特徴

私どもはEMSの会社です。
(Electronics Manufacturing Service:電子機器製造サービス業)
基板実装に関して試作などの小ロット短納期から
海外拠点を活用した低コストの量産まで幅広く対応しております。

当社では開発部門にて基板設計や評価もおこなっていますので、設計段階から関わらせて頂く事が
    可能な体制になっております。設計から完成品組立までの一貫受注にも対応しております。
スミトロニクス(住友商事系列)、バイテックなどの大手商社とのタイアップにより、
    世界中から部品の自己調達が可能です。
全製造エリアにESD対策をております。ESDコーディネータ(RCJ認定)を中心に
    「ESD対策委員会」を組織し、製品及び部品(ESDS)のESD破壊を防止するための活動を行っています。

自動装着機・自動挿入機

すべてのリフロー炉はN2対応となっており、全ラインで、鉛フリーリフローはんだ付けが可能です。
【実装機 CM402-L】 【自動挿入機 AMR-U】


ライン 印刷機 ボンド塗布機 はんだ印刷検査機 実装機 実装機 実装機 リフロー炉
21 SP60P-M BD30S-M CPC-1000RH CM402-L KE-2060L KE-2060L SNR-825
22 SP22P-M KD-775 CPC-1000RH MSH-U KE-2020 KE-2060M SNR-825
23 SP11P-MA  - - KE-750 KE-2050M KE-760 SNR-850
24 SP60P-M - - FX-1 KE-740 KE-740 TNP25-538EM

ライン 設備名
RA1 ALPHA DESIGN:AMR-U(アキシャル・ラジアル部品複合挿入機)
PJS02 Panasert:JV(ジャンパー線挿入機)
PAS01 Panasert:AV-B(アキシャル部品挿入機)
RH03 Panasonic:RHSG(ラジアル部品挿入機)

ディップはんだ付け装置

鉛フリー・マルチラインで柔軟に対応できます。
はんだリサイクル装置もあり、はんだの再利用も行っています。
 【スプレーフラクサー 
VIS-350】
【はんだ槽 SPF-300】 【はんだリサイクル装置
 SDS2-5N】

スプレーフラクサー はんだ槽 インサーキットテスター 
弘輝テック:VIS-350 千住金属:SPF-300 オカノ電機:OIT-510Z U 16
弘輝テック:VIS-350 千住金属:SPF-300 オカノ電機:OIT-710Z


手はんだ付け

両面リフローはんだ付けが一般化する一方で、 ディスクリート部品の手はんだ付けのニーズも増大しています。 当社では、社内外はんだ付け技能認定試験をパスした作業者が作業にあたります。


ポイントはんだ付装置も保有しており、高品質なはんだ付けを実現します。
【ULTIMA-SSP-L】 【ULTIMA-STR2】

型番 用途
弘輝テック:ULTIMA-SSP-L ポイントスプレーフラクサー
弘輝テック:ULTIMA-STR2 ポイント噴流はんだ付け装置


外観検査機

自動装着機によって実装された基板は、すべて外観検査機にかけられます。 その後、外観検査機による検出が困難なリード浮き等の不良項目の検出のため、 顕微鏡や拡大鏡を利用して人の目による外観検査は行われます。
 
【卓上検査機 NLB-770X】   【外観検査装置 L22Xfv-350】

検査機・試験装置 用途
名古屋電機工業:NLB-770X 外観検査装置(卓上)
JIMC:Cyclone Jr.200 外観検査装置(卓上)
Marantz:L22Xfv-350 外観検査装置
Panasert:IPK-V2 レーザー3次元外観検査装置


BGAリペア

最新のBGAリペア機と経験豊かなスタッフが、BGA交換を可能にします。
 
【BGAリワーク装置 MS-9000SA】    【X線検査機 S5110IN】

検査機・試験装置 用途
メイショウ:MS-9000SA BGAリワーク装置
東芝ITコントロール:S5110IN X線検査機


クリーンルーム

製造エリアの一角には約70坪のクリーンルームを設置しております。 これにより、作業環境がより一層整備され性能の良い製品をお客様に提供できるようになりました。
@空調設備
 床置きダクト吹き型2台設置
 (処理風量8,640u/hr×113pa)
Aサプライユニット
 14台設置(天井吹き出し)
 (補助効率0.3μmDOP99.97%以上)
Bエアーシャワー
 1人用2台設置
 (補助効率0.3μmDOP99.97%以上)
CパスBOX
 750×500×800 2台設置
DESD対策
 導電床0.1MΩ<R<50MΩ